Компания Samsung Electronics заявила о том, что разрабатывает первую в отрасли память DDR5 с использованием технологии High-K Metal Gate (HKMG). Это технология использования диэлектриков с высокой диэлектрической постоянной и металлических затворов.
Компания уже расширила свой портфель предложений соответствующим модулем DDR5 объёмом 512 ГБ. В данном случае на одном модуле разместились восемь слоёв микросхем DRAM объёмом 16 ГБ, объединённых посредством технологии объёмной компоновки с межслойными соединениями (Through-Silicon Vias, TSV).
Такая память обеспечивает скорость передачи данных до 7200 Мбит/с, что вдвое больше, чем у DDR4. Сама Samsung говорит об использовании таких модулей в суперкомпьютерах и вычислениях, связанных с искусственным интеллектом и машинным обучением.
Также корейский гигант отмечает на 13% меньшее энергопотребление новой памяти.
